产品简介："### 产品简介

**FQP4N90C-VB** 是一款高压 N-Channel MOSFET，封装形式为 TO220，专为处理高电压应用而设计。其漏源电压（VDS）高达 900V，栅源电压（VGS）最大可达 ±30V，阈值电压（Vth）为 3.5V。在 VGS = 10V 的条件下，导通电阻（RDS(ON)）为 1500mΩ，最大漏电流（ID）为 5A。FQP4N90C-VB 采用超级结（SJ）多重外延（Multi-EPI）技术，具有低损耗、高效率的特点，非常适合在高压电源和其他高压电路中使用。

### 详细参数说明

- **型号**: FQP4N90C-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N型通道（Single-N-Channel）
- **最大漏源电压 (VDS)**: 900V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1500mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏电流 (ID)**: 5A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块

**FQP4N90C-VB** 的高电压处理能力和稳定的开关性能使其在多个高压应用领域具有广泛的用途：

1. **高压电源（High-Voltage Power Supplies）**: 由于其高达 900V 的漏源电压能力，FQP4N90C-VB 特别适用于高压电源的设计，如工业电源、通信电源和医疗设备电源。它在这些应用中提供高效的开关功能，确保电源的可靠性和稳定性。

2. **逆变器（Inverters）**: 在逆变器应用中，FQP4N90C-VB 可以用于控制直流到交流的转换过程，特别是在需要高压操作的情况下。其高耐压特性确保了逆变器在高压环境中的有效运行。