产品简介："### 详细参数说明

**型号名称**: NVTFS5C680NLWFTAG-VB
**品牌**: VBsemi
**封装**: QFN8(3X3)
**沟道类型**: Single-N
**漏源电压 (VDS)**: 60V
**栅源电压 (VGS)**: ±20V
**阈值电压 (Vthtyp)**: 1.7V
**栅源电压为4.5V时的导通电阻 (RDS(on))**: 35mΩ
**栅源电压为10V时的导通电阻 (RDS(on))**: 28mΩ
**漏极电流 (ID)**: 30A
**技术**: Trench

### 应用简介

NVTFS5C680NLWFTAG-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和高电流处理能力。其60V的漏源电压和±20V的栅源电压范围使其适用于多种高功率应用场景。该器件在4.5V和10V的栅源电压下分别具有35mΩ和28mΩ的低导通电阻，确保了高效的能量转换和低功耗。

### 应用领域

1. **电源管理模块**: 由于其高电流处理能力和低导通电阻，NVTFS5C680NLWFTAG-VB非常适合用于电源管理模块，如DC-DC转换器、AC-DC转换器和电池管理系统。在这些应用中，MOSFET的高效开关特性可以显著提高电源转换效率，减少能量损耗。

2. **电机驱动模块**: 在电机驱动模块中，MOSFET的快速开关特性和高电流处理能力使其成为理想选择。NVTFS5C680NLWFTAG-VB可以用于驱动各种类型的电机，如直流电机、步进电机和伺服电机，广泛应用于工业自动化、机器人技术和家用电器中。