产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：NTMFD5C672NLT1G-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Dual-N+N**
**VDS（漏源电压）：60V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（阈值电压）：1.7V**
**VGS=4.5V时导通电阻：17mΩ**
**VGS=10V时导通电阻：11mΩ**
**ID（漏极电流）：40A**
**技术：Trench**

### 产品详细参数说明

NTMFD5C672NLT1G-VB 是一款由 VBsemi 生产的双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装。该器件具有 60V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），适用于中高功率应用。其阈值电压（Vthtyp）为 1.7V，确保了在低电压驱动下的高效开关性能。在 VGS=4.5V 时，导通电阻为 17mΩ，而在 VGS=10V 时，导通电阻进一步降低至 11mΩ，这使得该器件在高电流应用中表现出色。最大漏极电流（ID）为 40A，适用于需要高电流处理能力的场景。该 MOSFET 采用 Trench 技术，提供了优异的开关性能和热管理能力。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
NTMFD5C672NLT1G-VB 适用于电源管理模块，特别是在需要高效率和高电流处理能力的 DC-DC 转换器和同步整流器中。其低导通电阻和高电流能力使其成为电源模块中的理想选择，能够有效降低功耗并提高系统效率。