产品简介："### 型号应用简介

IPG20N06S4-15-VB 是 VBsemi 公司推出的一款双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于高效率、高功率密度的应用场景。其 VDS 为 60V，VGS 为 ±20V，Vth 典型值为 1.7V，能够在低电压驱动下实现高效开关。该 MOSFET 采用 Trench 技术，进一步优化了导通电阻和开关性能，适合高频开关应用。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
该封装具有较小的尺寸和优异的散热性能，适合高密度 PCB 设计。

- **沟道类型**：Dual-N+N
双 N 沟道设计使其适用于需要双向电流控制的应用场景。

- **VDS（漏源电压）**：60V
适用于中低压电源系统，如 48V 及以下的电源设计。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅极驱动电压范围宽，兼容多种驱动电路设计。

- **Vth（阈值电压）**：1.7V
低阈值电压使其能够在低电压驱动下快速开启，适合低功耗应用。

- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时，RDS(on) 为 17mΩ
- VGS=10V 时，RDS(on) 为 11mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了系统效率。

- **ID（漏极电流）**：40A
高电流承载能力使其适用于大功率应用。

- **技术**：Trench
Trench 技术优化了器件的导通电阻和开关速度，适合高频开关应用。