产品简介："### 型号应用简介

**FDD86367-F085-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高效率、高功率密度的电源转换和电机驱动应用。其低 Vth（阈值电压）和低 RDS(on)（导通电阻）使其在开关电源、DC-DC 转换器、电机控制等领域表现出色。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: FDD86367-F085-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: TO252
- **沟道类型**: Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 80V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(on))**: 4.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: SGT (Shielded Gate Trench)

### 应用领域及模块

1. **开关电源 (SMPS)**
FDD86367-F085-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于开关电源模块，尤其是在高效率 DC-DC 转换器中。它可以有效降低功率损耗，提升系统效率，适用于服务器电源、通信电源等高功率密度应用。

2. **电机驱动**
在电机驱动模块中，该 MOSFET 的高电流能力和低 RDS(on) 使其能够高效驱动大功率电机，适用于电动工具、工业电机控制、电动汽车驱动系统等领域。其快速开关特性也有助于提高电机控制的响应速度和精度。