/Public/Uploads/useimg/20250303

常规产品

STD105N10F7AG-VB

产品简介:"**型号简介:STD105N10F7AG-VB**

**品牌:VBsemi**

**封装:TO252**

**沟道类型:Single-N**

**主要参数:**
- **VDS(漏源电压):100V**
- **VGS(栅源电压):±20V**
- **Vthtyp(典型阈值电压):1.8V**
- **VGS=4.5V时导通电阻(RDS(on)):14.5mΩ**
- **VGS=10V时导通电阻(RDS(on)):11.5mΩ**
- **ID(最大漏极电流):55A**
- **技术:SGT(Shielded Gate Trench)**

**产品简介:**
STD105N10F7AG-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件采用先进的 SGT(Shielded Gate Trench)技术,能够在高电压和高电流条件下提供优异的开关性能和热稳定性。

**适用领域:**
1. **电源管理模块**:由于其低导通电阻和高电流承载能力,STD105N10F7AG-VB 非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器和电源逆变器等电源管理模块中,能够有效降低功耗并提高效率。

2. **电机驱动模块**:在电机驱动应用中,该 MOSFET 可以用于驱动直流电机、步进电机和 BLDC 电机,提供高效的功率控制和快速开关响应。

3. **工业自动化**:在工业自动化设备中,STD105N10F7AG-VB 可用于控制继电器、电磁阀和其他高功率负载,确保设备的高效运行和可靠性。

4. **汽车电子**:该器件适用于汽车电子系统中的功率开关应用,如电动助力转向(EPS)、电池管理系统(BMS)和车载充电器等,能够在恶劣的汽车环境中稳定工作。