产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：SQS966ENW-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：QFN8(3X3)**
**沟道类型：Single N-Channel**
**VDS（漏源电压）：60V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vth（阈值电压）：1.7V**
**RDS(ON)（导通电阻）：VGS=4.5V时为35mΩ，VGS=10V时为28mΩ**
**ID（漏极电流）：30A**
**技术：Trench（沟槽技术）**

### 产品详细参数说明

SQS966ENW-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于多种电源管理和开关应用，尤其是在需要高效率和高功率密度的场合。其沟槽技术（Trench Technology）确保了较低的导通损耗和较高的开关速度，使其在高频开关应用中表现出色。

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
SQS966ENW-VB 适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器以及电池管理系统中的电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在降压、升压和反激式转换器中表现出色，能够有效降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，SQS966ENW-VB 可以用于驱动直流电机、步进电机和伺服电机。其高开关速度和低导通电阻使其在 PWM（脉宽调制）控制中表现出色，能够实现精确的电机控制和高效的能量转换。