产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：NP30N06QDK-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Dual-N+N**
**VDS：60V**
**VGS：±20V**
**Vthtyp：1.7V**
**VGS=4.5V：17(mΩ)**
**VGS=10V：11(mΩ)**
**ID：40A**
**技术：Trench**

### 产品详细参数说明

NP30N06QDK-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装。该器件具有 60V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），适用于高电压和高电流的应用场景。其典型阈值电压（Vthtyp）为 1.7V，在 VGS=4.5V 时的导通电阻为 17mΩ，在 VGS=10V 时的导通电阻为 11mΩ，最大漏极电流（ID）为 40A。该 MOSFET 采用 Trench 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效率的电源管理和功率转换应用。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
NP30N06QDK-VB 适用于各种电源管理模块，如 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其在高效电源转换中表现出色，能够有效降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，NP30N06QDK-VB 可以用于驱动各种类型的电机，如直流电机、步进电机和伺服电机。其高电压和高电流能力使其能够承受电机启动和运行时的瞬时大电流，确保电机驱动的稳定性和可靠性。