产品简介："### 型号应用简介

SiA4263DJ-VB 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装具有紧凑的尺寸（2mm × 2mm），适合空间受限的应用场景，同时提供良好的热性能和电气性能。

- **沟道类型**：Single-P（单 P 沟道）
适用于需要 P 沟道 MOSFET 的电路设计，如负载开关、电源管理模块等。

- **VDS（漏源电压）**：-20V
适用于低电压应用场景，如便携式设备、电池供电系统等。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
提供宽范围的栅极驱动电压，适应多种控制电路需求。

- **Vth（阈值电压）**：-0.6V（典型值）
低阈值电压使其在低电压下即可开启，适合低功耗设计。

- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ


- **ID（漏极电流）**：-10A

- **技术**：Trench

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### 应用领域及模块示例

1. **便携式设备**
SiA4263DJ-VB 的低导通电阻和紧凑封装使其非常适合用于智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块。例如，在电池保护电路中，它可以作为负载开关，实现高效的电源分配和低功耗运行。

2. **电池供电系统**
在无人机、电动工具等电池供电系统中，SiA4263DJ-VB 可用于电机驱动模块或电池管理模块。其高电流承载能力和低导通电阻能够有效减少能量损耗，延长电池寿命。