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RJF0610JSP-VB
产品简介:"### 型号应用简介
**RJF0610JSP-VB** 是 VBsemi 推出的一款双 N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装,具有低导通电阻和高开关效率的特点。
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### 产品详细参数说明
- **封装**:SOP8
- **沟道类型**:Dual-N+N
- **VDS(漏源电压)**:60V
- **VGS(栅源电压)**:±20V
- **Vthtyp(阈值电压)**:1.9V
- **导通电阻**:
- VGS=4.5V 时:130mΩ
- VGS=10V 时:110mΩ
- **ID(漏极电流)**:4A
适用于中小功率应用,如电机驱动、LED 驱动等。
- **技术**:Trench
### 应用领域及模块示例
1. **DC-DC 转换器**
RJF0610JSP-VB 的低导通电阻和高开关效率使其非常适合用于 DC-DC 转换器模块,尤其是在降压(Buck)和升压(Boost)电路中。其 60V 的 VDS 和 4A 的 ID 能够满足中小功率转换需求,例如便携式设备、车载电源等。
2. **电机驱动模块**
在小型电机驱动模块中,RJF0610JSP-VB 的双 N 沟道设计可以用于 H 桥电路,实现电机的正反转控制。其低导通电阻和 4A 的电流能力适合驱动小型直流电机,如无人机、机器人等。
3. **LED 驱动模块**
该器件可用于 LED 驱动电路,尤其是在需要高效 PWM 调光的场景中。其 Trench 技术确保了快速开关性能,适合高频调光应用,如智能照明系统。