产品简介："### 型号应用简介

**DMT10H015LK3-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。
### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：35A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：DMT10H015LK3-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器以及电池管理系统（BMS）。其低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中能够有效降低功耗，提升整体效率。
- **模块示例**：在笔记本电脑的电源适配器中，该 MOSFET 可用于同步整流电路，减少能量损耗，提升充电效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：该器件适用于电动工具、家用电器（如洗衣机、吸尘器）以及工业电机驱动系统。其快速开关特性和高电流能力使其在电机控制电路中能够实现精确的速度和扭矩控制。
- **模块示例**：在电动工具的电机驱动模块中，DMT10H015LK3-VB 可用于 H 桥电路，实现电机的正反转控制和调速功能。