产品简介："### 型号应用简介

**DMTH10H025LK3Q-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **TO252** 封装。该器件具有 **100V** 的漏源电压（VDS）和 **35A** 的连续漏极电流（ID），适用于高功率和高效率的应用场景。其 **SGT（Shielded Gate Trench）技术** 提供了优异的开关性能和低导通电阻（RDS(on)），在 **VGS=4.5V** 时仅为 **26mΩ**，在 **VGS=10V** 时降至 **21mΩ**。此外，其 **Vthtyp（阈值电压）** 为 **1.8V**，适合低电压驱动的应用。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：N沟道（Single N-Channel）
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ
- **连续漏极电流（ID）**：35A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器。
- **优势**：低导通电阻和高电流能力使其在高效电源转换中表现出色，适合用于高功率密度的电源设计。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、无人机、机器人、家用电器（如吸尘器、洗衣机）。
- **优势**：高电流能力和低导通电阻使其能够高效驱动电机，同时减少发热和能量损耗。