/Public/Uploads/useimg/20250306

常规产品

DMT10H025SK3-VB

产品简介:"### 型号应用简介

**DMT10H025SK3-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,适用于多种高功率和高效率的应用场景。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能,特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理和电机驱动系统中。

### 产品详细参数说明

- **封装**:TO252
- **沟道类型**:Single-N
- **漏源电压 (VDS)**:100V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时:26 mΩ
- VGS=10V 时:21 mΩ
- **漏极电流 (ID)**:35A
- **技术**:SGT (Shielded Gate Trench)

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**:
- **应用**:DMT10H025SK3-VB 适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池管理系统(BMS)等电源管理模块。
- **优势**:其低导通电阻和高电流承载能力有助于减少功率损耗,提高整体效率,特别适合在高频开关应用中。

2. **电机驱动模块**:
- **应用**:该 MOSFET 可用于无刷直流电机(BLDC)和有刷直流电机的驱动模块。
- **优势**:高电流能力和快速开关特性使其能够有效控制电机转速和扭矩,适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机驱动。