产品简介："### 型号应用简介

**DMT10H015SPS-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于需要高效率和高可靠性的电源管理和功率转换应用。其紧凑的 DFN5X6 封装设计使其在空间受限的应用中表现出色，同时提供优异的散热性能。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：DMT10H015SPS-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器和开关电源模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在降压、升压和反激式转换器中表现出色。
- **模块**：适用于服务器电源、通信电源、工业电源等高功率密度应用。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动电路中，DMT10H015SPS-VB 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电压和电流能力使其适用于电动工具、家用电器和工业电机驱动。
- **模块**：适用于 BLDC（无刷直流电机）控制器、步进电机驱动器和伺服电机驱动器。